Estudo de transistores de poucas camadas de MoS 2

1. Estudo de transistores de poucas camadas de MoS2 Juliana A. Martins1, Evandro Morais1, Alisson R. Cadore1, André S. Ferlauto1, Luiz O. Ladeira1, Rodrigo G. Lacerda1. 1 Universidade Federal de Minas Gerais – UFMG, ICEX – Departamento de Física, BH. – MG, Brasil e-mail: nanomat@fisica.ufmg.br Resumo: O material, MoS2, tem atraído grandes interesses devido as suas propriedades ópticas, eletrônicas e mecânicas. As monocamadas de MoS2 consistem de dois planos hexagonais de átomos de S e um plano intermediário hexagonal de átomos de Mo, ligados através de ligações iônica-covalentes com os átomos S. Quando se tem mais de uma camada, a interação entre elas é feita por ligações do tipo Van-der-Waals, o que possibilita a técnica de clivagem micromecânica. O bulk desse material apresenta uma banda de gap indireto de 1,2 eV e mobilidade entre 200 e 500 cm2/Vs. Quando se obtêm uma camada, sua banda de gap passa ser direta e com valor de 1,8 eV enquanto sua mobilidade cai para 0,5 à 3 cm2/Vs. Neste trabalho, apresentamos um processo de esfoliação do material MoS2 e a caracterização de transistores de poucas camadas. Esfoliação Esfoliação Caracterizações Amostra 2.2 Amostra 2.1 Figura 2: a) Representação tridimensional da estrutura do MoS2. b) Esquema estrutural do FET de MoS2 juntamente com os contatos eletrônicos usados para caracterizar o dispositivo. Figura 1: Imagem de microscópio óptico da amostra 1. Figura 3: Imagem de microscópio óptico da amostra 2. AFM Contatos Amostra 2.2 Amostra 2.1 Figura 4: Imagens de AFM da amostra 1 Figura 5: Espessura do MoS2 da amostra 1 Figura 6: Imagens de microscópio óptico. Amostras 2.1 e 2.2 Medidas elétricas Medidas elétricas Figura 7: Medidas elétricas. Amostra 2.2 Figura 6: Medidas elétricas. Amostra 2.1 Resultados Agradecimentos