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Sviluppo di circuiti elettronici per alte temperature integrati con sensori fisici MEMS su 3C-SiC cresciuto su Si. Presentato come progetto IDEAS e FIRB 2009. BANDO FIRB- PROGRAMMA “FUTURO IN RICERCA”. Due unità di ricerca: CNR-IMM-Bologna Realizzazione e caratterizzazione dispositivi
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Sviluppo di circuiti elettronici per alte temperature integrati con sensori fisici MEMS su 3C-SiC cresciuto su Si Presentato come progetto IDEAS e FIRB 2009
BANDO FIRB- PROGRAMMA “FUTURO IN RICERCA” • Due unità di ricerca: • CNR-IMM-BolognaRealizzazione e caratterizzazione dispositivi • Mariaconcetta Canino ( dottore di ricerca <32) • DIEI- UNIPG- PerugiaProgettazione circuitale • Lucia Bissi ( dottore di ricerca <32)
Obiettivo • L'obiettivo del progetto è lo sviluppo di una tecnologia per fabbricare un elettronica per alte temperature su carburo di silicio (SiC) cubico (3C) cresciuto su silicio, in modo da realizzare una classe di sensori ed attuatori microelettromeccanici (MEMS) operanti fino a 500 °C con elettronica integrate sul chip.
Innovazioni principali - Lo sviluppo di circuiti a logica nMOS in 3C-SiC • Lo sviluppo di dispositivi e circuiti elettronici operanti a 500°C, che possono essere posti in prossimità del sensore, limitando gli effetti parassiti e garantendo prestazioni migliori • Lo sviluppo di un prototipo di un sensore di deformazione operante fino a 500°C compatibile con il processo di realizzazione dell'elettronica, che aprirà la strada alla realizzazione di una classe di sensori e attuatori MEMS operanti a 500°C • Lo sviluppo di un nuovo modo di testare i sensori e i MOSFET fino a 500°C basato sulla fabbricazione di hotplate a basso consumo di potenza
Costo del progetto e contributo MIUR Costo totale del progetto: 1.284.000 € (982.000 € dal MIUR e x contratti art. 15)
Personale e reparti Reparti coinvolti: tecnologico e elettronica Persone coinvolte: Francesco Moscatelli e Antonella Poggi a tempo pieno Sandro Solmi, Alberto Roncaglia a tempo parziale Tecnologia: 4 processi