1 / 13

(e,e’K + ) 反応による 準自由 K 中間子生成過程の研究

(e,e’K + ) 反応による 準自由 K 中間子生成過程の研究. 東北大学 理学研究科 原子核物理研究室 川間 大介. 本研究の目的. ポイント K + 中間子の他に生成される陽子や π 中間子といったバックグラウンドからの K + 中間子識別 各検出器の efficiency や cut efficiency の計算. 過去に殆ど実験例のない、 (e,e’K + ) 反応による 準自由 K + 中間子生成の 反応断面積を導出 する。. 1. Introduction & Setup. (e,e ’ K + ) 反応によるストレンジネス生成. e’. e.

bao
Download Presentation

(e,e’K + ) 反応による 準自由 K 中間子生成過程の研究

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. (e,e’K+)反応による準自由K中間子生成過程の研究(e,e’K+)反応による準自由K中間子生成過程の研究 東北大学 理学研究科 原子核物理研究室 川間 大介 2006年日本物理学会秋季大会

  2. 本研究の目的 ポイント • K+中間子の他に生成される陽子やπ中間子といったバックグラウンドからのK+中間子識別 • 各検出器のefficiencyやcut efficiencyの計算 過去に殆ど実験例のない、(e,e’K+)反応による 準自由K+中間子生成の反応断面積を導出する。 2006年日本物理学会秋季大会

  3. 1.Introduction & Setup 2006年日本物理学会秋季大会

  4. (e,e’K+)反応によるストレンジネス生成 e’ e γ* K+ p Λ 利点: • 1次ビームによる高分解能 • 深い束縛状態を励起可 • スピン反転・非反転状態の生成 Jefferson Lab Jefferson Laboratoryの高品位ビームを使用 エネルギー分解能数100keV CEBAF加速器 (e,e’K+)反応 C A B 2006年日本物理学会秋季大会

  5. E01-011実験(2005年6月~9月) K+ HKS e’ Enge Splitter 1.8GeV 電子線 • K+スペクトロメータとしてHKSを新設。 K+中間子の運動量1.2±0.15GeV • Backgroundを避けるため散乱電子側スペクトロメータ・Engeを傾けた(Tilt法)。 • 12C、28Siなどの標的に1.8GeV電子線を照射。 大立体角(~15msr)のHKSで観測された K+中間子の生成断面積を見積もれる (その殆どは準自由生成過程によるもの) 2006年日本物理学会秋季大会

  6. HKSの検出器 HTOF-2x HTOF-1x AC WC K+ K+ Trigger : 1x & 2x & WC & veto(AC) 2006年日本物理学会秋季大会

  7. 2. Kaon PIDと断面積の導出 2006年日本物理学会秋季大会

  8. Kaon生成断面積の導出 • Nob:観測されたK+中間子の数 • Nin:入射電子数 • Ntar:標的核数→標的の厚さ・密度測定 • εHKS:HKS側データ収集効率 • εEnge:Enge側データ収集効率 • εcut:Offline Analysisにおけるcut効率 2006年日本物理学会秋季大会

  9. AC, WCでのSurvival Rate pion veto : AC npe sum < x proton veto : WC npe sum > x x=1.5 x=4 (炭素標的、入射電子26uAの場合) kaon Surv. Rate ~ 70% pion Surv. Rate < 4% kaon Surv. Rate ~ 90% proton Surv. Rate ~ 50% 2006年日本物理学会秋季大会

  10. βによるcut w/o AC, WC cut K+ π+ w/ AC, WC cut fit w/ gaussian+pol(2) function σ in Kaon gaussian ~ 0.02 selected [-0.05, 0.05](~±2.5σ) p gaussianを積分 Kaon数 β-βK βK → 粒子がK+中間子であると仮定し、HDCのトラッキングから求めたβ β → TOFカウンターを用い、飛行時間と飛行距離から求めたβ 2006年日本物理学会秋季大会

  11. 生成断面積の標的依存性 ~ 数ub/srin 12C HKSの立体角~15msr 2006年日本物理学会秋季大会

  12. 他実験との比較 (e,e’K+)によるQF Kaonのデータは 存在しないので(γ,K+)反応のデータと比較 オーダーの精度で一致しているといえる H.Yamazaki et.al. Phys.Rev. C 52, R1157 (1995) “The 12C(γ,K+)Λ reaction in the threashold region” 2006年日本物理学会秋季大会

  13. Summary & Next Step • 2005年に行われたE01-011実験のデータを用いて準自由生成過程(Quasi-Free)によるK中間子生成の断面積を導出した。 • (γ,K+)反応によるQF Kaonの微分断面積と比較してもオーダーの精度で一致している。 • 今後は各カウンターのefficiencyや実験条件(入射電子強度など)による違いを細かく解析していき、より高精度な微分断面積の導出を目指す。 2006年日本物理学会秋季大会

More Related