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Fabricação de nanoestruturas (Parte III) Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra

Fabricação de nanoestruturas (Parte III) Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos Escola Politécnica da USP acseabra@lsi.usp.br. CAD. Nanotecnologia. Máscara(s). Escrita Direta. Nanocarimbos. Litografia Óptica. Litografia por Raios-X. Hoje.

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Fabricação de nanoestruturas (Parte III) Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra

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Presentation Transcript


  1. Fabricação de nanoestruturas (Parte III) Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos Escola Politécnica da USP acseabra@lsi.usp.br

  2. CAD Nanotecnologia Máscara(s) Escrita Direta Nanocarimbos LitografiaÓptica Litografiapor Raios-X Hoje

  3. Nanoimpressão (nanocarimbos) • Nanoimpressão é um tipo de impressão por contato onde as geometrias são geradas por deformação/transformação física ao invés de reações fotoquímicas • Potencial • Produtividade • Resolução • Dificuldades • Defeitos • Pouca capacidade de alinhamento

  4. Nanoimpressão por Microcontato (mCP)

  5. Litografia por Nanoimpressão (NIL)

  6. Estruturas 3D Linhas de 50nm Resultados por Nanoimpressão (NIL)

  7. Litografia de Impressão por Passo e Flash (SFIL)

  8. Nanoimpressão (SFIL) SFIL (Resnick, 2003)

  9. As três Técnicas Principais de Nanoimpressão

  10. (Eigler, 1990) (Mirkin, 1999) Litografia por Varredura de Sonda • AFM, STM • Arraste • Pinçagem • Exposição • Dip-pen

  11. Fabricação de nanoestruturas • Nanolitografia • Nanocorrosão • Nanodeposição

  12. Corrosão • E depois da litografia?

  13. nm/s µm/s Separadas de ½ lâmina Txmax — Txmin (%) Txmax + Txmin Txmin Txmin Taxa de Corrosão e Uniformidade • Taxa de Corrosão • Filme • Resiste • Substrato • Uniformidade

  14. T ver T hor Tx hor Txvert A = 1— Tver Anisotropia

  15. FET tecnologia 65nm Tver Anisotropia

  16. Seletividade e Sobrecorrosão (overetching) • Seletividade • Filme/Resiste (Tx filme / Tx resiste ~ 4 : 1) • Filme/Substrato (Tx filme / Tx substrato ~4 : 1) • Sobrecorrosão • 30% ~ 50% a mais de tempo de corrosão do que o tempo médio

  17. Corrosão Seca • Plasma Tipos de Corrosão • Corrosão Úmida • Bancadas Químicas ou Spray

  18. Corrosão Úmida • Isotrópica ou Anisotrópica • Tensão Superficial • Consumo de Reagentes

  19. Corrosão Úmida • Silício: HNO3 ou HF (isotrópica) KOH + IPA (anisotrópica) • Dióxido de Silício: HF diluído (BHF) taxa depende do tipo de SiO2 • Nitreto de Silício: H3PO4 conc. a 180°C • Alumínio: 80% fosf.+ 5% nit.+5% acet. + 10% água (45 °C, 10%–50% sobrecorrosão)

  20. Corrosão a Seco • Direcional (Anisotrópica) • Utiliza poucos insumos • Permite acompanhamento da evolução • Cara e complexa

  21. Gás / Fluxo Lâminas Eletrodo Potência Corrosão a Seco • Resultados (saída) • Taxa • Seletividade • Grau de Anisotropia • Uniformidade • Parâmetros (entrada) • Pressão (vácuo) • Fluxo • Potência • Tipo de Gás Plasma Vácuo

  22. Processo de Corrosão a Seco Plasma

  23. Reações Químicas (competição)

  24. Gases de Processo

  25. 0 VDC neg. O Efeito da Polarização DC Plasma

  26. CAD Nanotecnologia Máscara(s) Escrita Direta Nanocarimbos MEMS LitografiaÓptica Litografiapor Raios-X Litografia para Nanotecnologia

  27. Litografia/corrosão para MEMS e NEMS

  28. Litografia/corrosão para MEMS e NEMS Dispositivos Ópticos Digital Light Processor! (DLP)

  29. CAD Nanotecnologia Máscara(s) Escrita Direta Nanocarimbos MEMS LitografiaÓptica Litografiapor Raios-X Litografia para Nanotecnologia

  30. http://www.labs.nec.co.jp/Eng/Overview/soshiki/kiso/nanotech2004.pdfhttp://www.labs.nec.co.jp/Eng/Overview/soshiki/kiso/nanotech2004.pdf Litografia/corrosão ainda na Indústria de CIs...

  31. Exemplo de Aplicação

  32. ~90nm ~40nm ~10mm Pesando uma molécula de DNA Bactéria (~1m): 665 fentogramas Virus (~100nm): 1,5 fentogramas DNA (~500nm): 995.000 Daltons (~1 attograma)

  33. Fabricação de nanoestruturas • Nanolitografia • Nanocorrosão • Nanodeposição

  34. FIB Deposição induzida por feixe • vários parâmetros: energia, corrente do feixe, substrato, dose, pressão… • alta taxa de deposição para elétrons de baixa energia (1-3 kV) @ alto brilho

  35. Deposição induzida por feixe

  36. Deposição induzida por feixe

  37. Precursores • material/ precursor processo/ aplicação • tungstênio W(CO)6 deposição • platina (Me3)MeCpPtdeposição • óxido de silício PMCPSdeposição • TEOS deposição • carbono, ouro, cobre, cobalto, …. deposição • fluoreto de Xe XeF2 corrosão de Si, SiO2 • água H2O corrosão de C

  38. Superpontas 100 nm 50°C • Superponta de AFM • Raio da ordem de 5nm

  39. Deposição de isolantes

  40. Corrosão de trincheiras • SiO2usandoXeF2 55 nm 40 nm

  41. Estruturas tridimensionais Nb CuNb Nb

  42. Nanodeposição de contatos

  43. Nanodeposição e nanorroteamento de contatos SWCNTs sobre SiO2 Amostra com SiO2 e eletrodos de Au Poswicionamento aleatório de SWCNTs ( f = 1.3 nm) sobre o SiO2 Mapeamento por AFM dos SWCNTs de interesse

  44. Nanodeposição e nanorroteamento de contatos Preparação das rotas de nanoconexão Nanodeposição…

  45. Nanodeposição e nanorroteamento de contatos Resultados…

  46. Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra • Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos • Escola Politécnica da USP • Contato:acseabra@lsi.usp.br • Pós-graduação em microeletrônica (mestrado e doutorado):www.poli.usp.br • Laboratório que atuo: • Micro/Nanoeletrônica • Microssensores e Sistemas Eletrônicos

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