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G. Quadri doctorant , H. Martinez post-doctorant , O. Llopis CR

Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les Télécommunications » du LAAS-CNRS, Toulouse. G. Quadri doctorant , H. Martinez post-doctorant , O. Llopis CR A. Rennane doctorant , L. Bary ingénieur. Contact : llopis@laas.fr.

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Presentation Transcript

  1. Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les Télécommunications » du LAAS-CNRS, Toulouse G. Quadridoctorant, H. Martinezpost-doctorant, O. LlopisCR A. Rennanedoctorant, L. Baryingénieur Contact : llopis@laas.fr Modélisation de photo transistors Photo oscillateurs Projet 1 : Distribution optique de signaux de référence de fréquence Projet 2 :

  2. Photo TBH InP (1,55 µm) HEMT InP (1,55 µm) Photo TBH SiGe (0,85 µm) Projet 1 I(V) - Paramètres S Modélisation petit et fort signal en fonction de l’éclairement Modélisation en bruit

  3. Projet 2 Distribution optique de signaux de référence de fréquence dans un satellite de télécommunications But : conserver le faible bruit de phase de la référence 1) Étude du récepteur : Étude de différentes configurations : Photodiode + amplificateur Photodiode + amplificateur+filtre Photo oscillateur Fréquences concernées: 10 MHz, 800 MHz, bande C 2) Étude du laser : Collaboration: SupAero (GREMO) + Groupe Photonique LAAS Soutiens financiers : Alcatel Space Ind., Toulouse, Région Midi Pyrénées

  4. Exemple de résultat pour une application à la transmission des signaux d’OUS à 10 MHz Liaisonoptique avec amplificateur Liaisonoptique avec amplificateur et filtre à quartz Liaisonoptique avec amplificateur, filtre à quartz et oscillateur

  5. Travaux menés au LAAS sur les VCSELsgroupe PhotoniqueC. Bringer doctorante, V. Bardinal CR, T. Camps MDC, C. Fontaine DR Exemple : VCSEL pour l’émission à 840nm sur substrat GaAs avec diaphragme d’oxyde enterré Réflecteur de Bragg p+ Métal 20 périodes Polymère 3 puits quantiques GaAs / GaAlAs 6nm Diaphragme d’oxyde Réflecteur de Bragg n+ 30.5 periodes Substrat GaAs n+ Métal Contact : bardinal@laas.fr • Epitaxie de la structure verticale (MBE/EJM) : • Optimisation du gain des puits de la zone active • Minimisation de la Résistivité des DBRs • Contrôle des épaisseurs des couches Fabrication technologique du composant : Confinement latéral du courant d’injection Plusieurs géométries possibles

  6. Résultats obtenus sur les VCSELs AlOx : courant de seuil et comportement spectral • Faibles seuils • Monomode transverse 3.0 4µm-continu 2.5 0.6 2.0 0.4 1.5 Intensité (u.a.) Puissance optique (mW) 1.0 I = 250µA 0.2 seuil 0.5 0.0 0.0 837.0 837.5 0 2 Longueur d'onde (nm) Courant (mA) Faible taille de zones d’émission : Vue de dessus

  7. Cavités couplées pour la génération THz ACI Photonique LAAS, CEM2-Montpellier, LAHC-Chambéry

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