1 / 8

Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe.

Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe. Aneta Antczak Iwona Wieczorek. Laser argonowy. Gazowo-jonowy Możliwość pracy w krótkofalowym zakresie widma Generacja kilku linii widmowych Duże wzmocnienie (szczególnie dla linii: 488,514.5 i 476.5 nm) Parametry rury wyładowczej:

hollis
Download Presentation

Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe. Aneta Antczak Iwona Wieczorek

  2. Laser argonowy • Gazowo-jonowy • Możliwość pracy w krótkofalowym zakresie widma • Generacja kilku linii widmowych • Duże wzmocnienie (szczególnie dla linii: 488,514.5 i 476.5 nm) • Parametry rury wyładowczej: • Prąd wyładowania łukowego (do 60A) • Napięcie rzędu 300-600V

  3. Zastosowanie: • badanie zjawisk rozpraszania światła • pompowanie laserów barwnikowych • holografia • medycyna (okulistyka, mikroskopia) Wady: • trudności z technologią wykonania rury wyładowczej • duża moc wejściowa (od kilowata do kilu kilowatów)

  4. Laser półprzewodnikowy Zalety: • małe wymiary – średnie wymiary pojedynczego emitera wynoszą 1x10x10 μm3; • największa sprawności generacji dochodzącej do 70% (lasery gazowe ≈ 0,1%, lasery ciała stałego ≈ 1%, lasery molekularne CO2 ≈ 30%); • prostoty zasilania ( ), gdzie: U- napięcie stałe źródła zasilania, hυ-energia; • możliwości budowy wieloelementowych macierzy emiterów (zasadnicza metoda powiększania mocy lub energii wyjściowej)

  5. Wady: • asymetria wiązki (kąty rozbieżności wiązki w laserach krawędziowych w płaszczyznach równoległych i prostopadłych nie są jednakowe) • stosunkowo silna zależność generowanej długości fali od temperatury

  6. Budowa lasera półprzewodnikowego Sapphire – optycznie pompowany laser półprzewodnikowy.

  7. Schematyczny przekrój poprzeczny lasera półprzewodnikowego

  8. Źródła • „Photonics spectra” (September 2003) • E.Brunner, W.Radloff „Elektronika kwantowa”

More Related