60 likes | 154 Views
SiC szemcsék TEM vizsgálata Si hordozón. Készítette: Bucz Gábor, buczgabor@citromail.hu Földes Ferenc Gimnázium Tanára: dr. Zsúdel László, Földes Ferenc Gimnázium, Miskolc Témavezető: dr. Tóth Lajos, Radnóczi György Zoltán vékonyréteg fizikaosztály. Feladat.
E N D
SiC szemcsék TEM vizsgálataSi hordozón Készítette: Bucz Gábor, buczgabor@citromail.hu Földes Ferenc Gimnázium Tanára: dr. Zsúdel László, Földes Ferenc Gimnázium, Miskolc Témavezető: dr. Tóth Lajos, Radnóczi György Zoltán vékonyréteg fizikaosztály
Feladat CO és Ar keverékében hőkezelt Si-szelet elektronmikroszkópos vizsgálata. • Átnézeti kép készítése síkmintáról, morfológia vizsgálata; • Moire-csíkrendszer vizsgálata síkmintán; • Nagyfelbontású vizsgálatok keresztmetszeti mintán.
Általános jellemzés • Jellemző általános négyzetforma • Nagyjából párhuzamos élek, • a Si [100]-hoz illeszkednek • Egyenletes méreteloszlás • Jellemző méret 50-100nm • Látható feszültség aszemcsék körül
Moire-mérés Két egymásra vetülő kristály esetén: dm=d1×d2/(d1-d2) d1=1,9201Å(Si 220); d2=1,5411Å(SiC 220) Elméleti érték: dm=7,8Å 5,55×10-6cm / 68vonal = 8,16Å
Nagyfelbontású vizsgálatok keresztmetszeti mintán • A hordozó és a SiC határfelülete sík (Si {001} alul és az oldalán is); • A szemcse tetején egy bemélyedés látható; • A Si és a SiC kristályrácsa melletta képben megjelenik a Si és aSiC 111 síkjainak átfedéséből adódómoire-csíkrendszer