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MOSFET. 一、 MOSFET 的種類 1.N 通道 空乏型與增強型 MOSFET 2.P 通道 空乏型與增強型 MOSFET. N 通道空乏型及增強型 MOSFET. 空乏型 : 汲極 D 及源極 S 之間以通道連接 增強型 : 汲極 D 及源極 S 之間沒有通道. 於低摻雜量的 P 型基體內擴散成兩 個高雜量之 區域,分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化矽( )層。 閘極未加偏壓時,本身已有通道。. (1) 結構 (2) 符號. 中間的垂直線代表通道。 P 型基體:箭頭朝內。 N 型通道:源極的箭頭朝外。 其符號是模仿 NPN 。.
E N D
MOSFET 一、MOSFET的種類 1.N通道空乏型與增強型MOSFET 2.P通道空乏型與增強型MOSFET
N通道空乏型及增強型MOSFET 空乏型:汲極D及源極S之間以通道連接 增強型:汲極D及源極S之間沒有通道
於低摻雜量的P型基體內擴散成兩 個高雜量之 區域,分別當作源、 汲極。 上層覆蓋二氧化矽( )層。 閘極未加偏壓時,本身已有通道。 (1) 結構 (2) 符號 中間的垂直線代表通道。 P型基體:箭頭朝內。 N型通道:源極的箭頭朝外。 其符號是模仿NPN。 N通道空乏型MOSFET
N通道空乏型MOSFET • ,適當的加入 電壓,則產生 • 有效的電流(此與JFET相同)。 • ,通道感應正電荷,並減少通 • 道多數載子,使得汲極電流減少(空 • 乏模式)。 • ,通道感應負電荷,並增加通 • 道的載子,使得汲極電流增加(增強 • 模式)。 (1) 操作情形
N通道增強型MOSFET的結構與符號 增強型MOSFET的結構與空乏型 MOSFET非常類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (1) 結構 P型基體(箭頭朝內)、 N型通 道(源極箭頭朝外)。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (2) 符號
N通道增強型MOSFET (1) 基本動作原理 當 時,MOSFET處於截止狀態。 當 時,在閘極下方形成一個空乏區。 當 ( 稱為臨界電壓)時,電子就 被引進入這一空乏區,汲、源極間有了N 型通道,產生電流。 操作情形
P通道空乏型MOSFET的結構與符號 (1) 結構:N型基體為製造MOSFET元件的基礎層 ,整個元件是製作在一塊基體上的。 (2)符號 N型基體:箭頭朝外。 P型通道:源極的箭頭朝內。 其符號是模仿PNP。
P通道增強型MOSFET的結構與符號 與空乏型MOSFET類似。 汲、源極間沒有實質的通道。 (1) 結構 N型基體(箭頭朝外)、 P型通道 (源極箭頭朝內)。 中間的垂直虛線表示無通道存在。 (2) 符號
N、P通道增強型MOSFET工作原理 N通道: 利用感應少數載體形成的通到,增加汲極的電流量 P通道: 以P+區為汲極及源極,以電洞為電荷載子,除了vGS、vDS及臨界電壓Vt 為負外,元件的操作方式與N通道相同,電流iD是由源極流向汲極
二、工作原理 1. 電路符號 2.MOSFET特性曲線 3.MOSFET工作特性曲線 4.MOSFET次導通區