1 / 21

Kristallstruktuurid ja kristallide geomeetria b

Kristallstruktuurid ja kristallide geomeetria b. 3.38 5. Defektid tahketes materjalides. I deaalne korrapära on võimalik vaid temperatuuril T= 0K Kristallvõre defekti all mõistetakse igasugust kõrvalekallet ideaalsest võre korrapärasusest .

nerita
Download Presentation

Kristallstruktuurid ja kristallide geomeetria b

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Kristallstruktuurid ja kristallide geomeetriab

  2. 3.385. Defektid tahketes materjalides Ideaalne korrapäraon võimalik vaid temperatuuril T= 0K Kristallvõre defekti all mõistetakse igasugust kõrvalekallet ideaalsest võre korrapärasusest. Kristallvõre defekte klassifitseeritakse tavaliselt nende geomeetria ehk dimensioonide järgi. Vastavalt sellele tehakse vahet 0-mõõtmeliste defektide e. punktdefektide; ühemõõtmeliste defektide e. lineaarsete defektide, kahe-mõõtmeliste defektide e. kristalliitide vaheliste piirpindade ja kolmemõõtmeliste defektide (pooride, võõrfaaside) vahel.

  3. 3.39. Vakantsid (a) ja võrevahelised defektid (b) tihedalt pakitud metalli kristallvõres

  4. 3.41. Asendus- ja võrevahelised võõraatomid kristallvõres

  5. 3.42. Schottky defekt and Frenkeli defekt

  6. 3.43.5.4. Dislokatsioonid Dislokatsioonid on ühemõõtmelised defektid, mille ümber on osa aatomeid paigutunud mitteregulaarselt. Dislokatsioonid võivad moodustuda aine plastilisel deformatsioonil, aine kristalliseerumisel ja aatommõõtude mittevastavuse tulemusena tahke lahuse moodustumisel. On olemas 2 põhitüüpi dislokatsioone: joon- (serv-) ja vintdislokatsioonid. Joondislokatsioon on lineaarne defekt, mis paikneb piki lisapoolaatomkihi lõppemisel võres tekkivat joont. Vintdislokatsiooni puhul on ülemine aatomtasapind kristallis aatomite vahelise vahemaa võrra nihutatud alumise aatomtasapinna suhtes.

  7. 3.44. Servdislokatsioon kristallvõres

  8. 3.45. Vintdislokatsion kuubiliseskristallvõres

  9. 3.46. Kombineeritud dislokatsioon

  10. 3.47.Vintdislokatsioonist tekkinud spiraalid kristalli välispinnal

  11. 3.48. Kombineeritud dislokatsioon ja dislokatsioonide söövituskujundid kristalli pinnal

  12. 3.49. Polükristallilise materjali teke tahkumisel

  13. 3.50. Polükristallilise materjali teke tahkumisel

  14. 3.51. Väikese- ja suurenurgalised piirpinnad

  15. 3.52 Materjali osakeste energia erinevatel temperatuuridel

  16. (110) tasapind RTK kristallstruktuuris

  17. (a) FCC struktuur. (b) a (111) tasapind - PTKkristallstruktuuris

  18. Aatomid PTK kristallstruktuuris

  19. Pindtsentreeritud kuubilise (a) ja heksagonaalse tihedaima pakkimise (b) võrdlus; (111) PTK struktuuris ja (0001) HTP struktuuris on tihedaima pakkimise tasapinnad

  20. Asendus- ja võrevahelised võõraatomid kristallvõres

More Related