1 / 6

ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2000

ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2000. R. R. pn. C. pn. R. B. I. U. Mikrobangų diodai. 1. Keitikliniai: detektoriniai, maišikliniai daugintuviniai, ... Veikimas: netiesinė VACh. Diodo ekvivalentinė schema aukštadažnei srovei:. 2. Komutaciniai Veikimas: R d ( U ).

page
Download Presentation

ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2000

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2000 R R pn C pn R B I U Mikrobangų diodai • 1. Keitikliniai: • detektoriniai, • maišikliniai • daugintuviniai, ... Veikimas: netiesinė VACh. Diodo ekvivalentinė schema aukštadažnei srovei: • 2. Komutaciniai • Veikimas: Rd(U). • 3. Varikapai • Veikimas: Cd(U). • Taikymas: generatoriai, stiprintuvai, daugintuvai, ... Dažninės savybės: AD: priklauso nuo RB ir Cb. MB: priklauso nuo RB , Cb , įvadų, ... VGTU Elektronikos fakultetas staras@el.vtu.lt

  2. ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2000 + n p Impulsiniai diodai • Veikimo spartą lemia: • krūvio kaupimas, • šalutinių krūvininkų ekstrakcija, • RB , Cb , ... • Veikimo spartos didinimo būdai: • Difuziniai diodai: Ei • Epitaksiniai-difuziniai: plona bazė • Šotkio diodai: nėra krūvio kaupimo • Taškiniai diodai: • Kiti diodai: • Tuneliniai ir atvirkštiniai • Gano • Griūtiniai lėkio (Rido) • IMPATT • TRAPATT • Injekciniai dreifiniai (BARITT) VGTU Elektronikos fakultetas staras@el.vtu.lt

  3. ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2002 W = W 0,36 eV 12 k Gano diodai VGTU Elektronikos fakultetas staras@el.vtu.lt

  4. ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2002 Gano diodai Riboto erdvinio krūvio kaupimo veiksena LSA – limited space-charge accumulation Gano diodai: taikomi iki 100-150 GHz, naudingumo koeficientas – iki 20%. cm bangų diapazone galia – iki kelių vatų (riboja šiluminiai reiškiniai). mm bangų diapazone galia – dešimtosios vato dalys (lemia pramušimas). VGTU Elektronikos fakultetas staras@el.vtu.lt

  5. ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2002 + p n a E E pr 0 x b Griūtiniai dreifiniai diodai Griūtinio pramušimo inercija, krūvininkų lėkis. Srovė atsilieka nuo įtampos. VGTU Elektronikos fakultetas staras@el.vtu.lt

  6. ELREM1002 MB PUSLAIDININKINIAI ĮTAISAI 2002 Rido (IMPATT - IMPact Avalanche Transit Time, ЛПД - лавинно-пролетные) diodai: cm diapazone: mm: InP: 100 GHz, 1 W, 18% Griūtiniai dreifiniai diodai • TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche Transit Time mode)diodai: • Smūginė jonizacija, griūtinis pramušimas. • Sumažėja sluoksnio varža, jame krinta mažesnė įtampos dalis. • Didesnė įtampos dalis krinta likusioje nuskurdintojo sluoksnio dalyje. • Stipraus elektrinio lauko ir smūginės jonizacijos banga sklinda nuskurdintuoju sluoksniu. • Kai gaunama didelė krūvininkų koncentracija, sumažėja diodo varža, per jį teka stipri srovė. • Padidėjus įtampos kritimui apkrovoje, diodo įtampa sumažėja – veikiant mažai įtampai, per diodą teka stipri srovė. Neigiama diferencialinė varža VGTU Elektronikos fakultetas staras@el.vtu.lt

More Related