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Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique

Jury. J-P. Bourgoin Directeur de thèse L. Duraffourg Co-directeur de thèse A. Lambrecht Rapporteur A. Bosseboeuf Rapporteur O. Cugat Examinateur B. Viala Examinateur L. Chiesi Examiteur. Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique. Lise Bilhaut.

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Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique

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Presentation Transcript

  1. Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Jury J-P. Bourgoin Directeur de thèse L. Duraffourg Co-directeur de thèse A. Lambrecht Rapporteur A. Bosseboeuf Rapporteur O. Cugat Examinateur B. Viala Examinateur L. Chiesi Examiteur Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique Lise Bilhaut Soutenance de thèse – 26 novembre 2009

  2. Plan Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Contexte de la thèse • Un nouveau système d’actionnement • Nano-commutateur magnétique • Nano-résonateur magnétique • Conclusion et perspectives

  3. Contexte de la thèse Nouveau système d’actionnement Nano-commutateur magnétique Nano-résonateur magnétique Conclusion et perspectives Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  4. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Enjeux de la thèse Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Accéléromètres (Wiimote, portable) • CEA/LETI • Génère et transfère d’innovations aux acteurs industriels • LCMS = Laboratoire des Composants Microsystèmes • Les MEMS: Micro-Electro-Mechanical-Systems • Années 80 : têtes d'impression, accéléromètres... • 2008 : marché en mutation  applications électronique grand publique (MEMS inertiels) • Acteurs industriels: HP, TI, ST Micro, Bosch… • CA: 4,8 milliards € (2008) / ~ 9 milliards € (prévisions 2012) Accéléromètre (airbag) Microbuses Capteur de pression (roues)

  5. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Des MEMS aux NEMS Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Les NEMS : Nano-Electro-Mechanical Systems • Taille < 10s µm, avec au moins une dimension < µm • Surface < MEMS/100 • Masse < MEMS/1000 • Impact de la miniaturisation • Très faible niveau de puissance • Capteurs ultrasentibles • Approche multicapteurs (More-than-Moore) • Convergence avec la microélectronique • Co-intégration • Applications : base de temps, interrupteurs, mémoires • Réduction des coûts • Porte vers le nano-monde • Problèmes liés à la réduction des dimensions • Effets de surface, forces de proximité, bruits • Reproductibilité technologique Accéléromètre MEMS Accéléromètre NEMS Cheveu

  6. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Problématique de la thèse Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Nano-commutateur bistable • Applications: interrupteur, mémoire mécanique… • Bistabilité • Équilibre Factionnement – Fproximité • Démontré à l’échelle nano • Difficilement industrialisable • Magnétisme • Magnétoconstriction • Bobine + matériaux magnétiques • Inexistant à l’échelle nanométrique Ziegler et al, APL, 84, 2004 • Système d’actionnement à l’échelle nanométrique • Assurant la bistabilité • Approche VLSI Chandler, Microwave Journal, 47, 2004 VLSI ≡ Very Large Scale Integration (Intégration à très grande échelle)

  7. Contexte de la thèse Nouveau système d’actionnement Nano-commutateur magnétique Nano-résonateur magnétique Conclusion et perspectives Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  8. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Héritage des MRAM Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Couche libre FM 1 Barrière tunnel FM 2 AF • Mémoires magnétiques i i Couche libre FM 1 Couche de référence Barrière tunnel FM 2 Résistivité faible  « 1 » Résistivité importante  « 0 » Couche de référence Nano-aimant 400 nm 400 nm 50 nm réversible FM AF JFeNi = 1 T JFeCo = 2,4 T T ~ 170°C B ~ 100 Oe MRAM ≡ Magnetic Random Access Memory FM ≡ FerroMagnétique (FeNi, FeCo) AF ≡ AntiFerromagnétique (IrMn, NiMn, FeMn)

  9. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Couches minces magnétiques Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 z y x 50 nm 1,1 µm 56 nm 6 µm + + + + + + + + + – – – – – – – – – • Modélisation • Équations basées sur la représentation coulombienne d’un aimant • Programme calculant Bx, By et Bz Bx JFeNi = 1 T JFeCo = 2,4 T Bz J Bz [ T ] JFeCo = 2,4 T

  10. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Couches minces magnétiques : effet de forme Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Épaisseur << dimensions latérales Distance par rapport à l’aimant 350 50 Bx 25 nm 2,4 T 0,5 µm 1 µm Bx max [ mT ] Bx max [ mT ] Bx 80 nm 0,5 µm 2,4 T 1 µm 5 0 50 500 2,5 100 600 Bz 25 nm 0,5 µm 2,4 T 1 µm Bz max [ mT ] Bz max [ mT ] Bz 80 nm 2,4 T 0,5 µm 1 µm 0 0 2,5 500 50 Gap [nm] Épaisseur de l’aimant [µm]

  11. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives La nano-commutateur Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Aimant supérieur Cantilever Aimant supérieur S N Cantilever N S S Substrat N Aimant inférieur Position fermée N S Substrat Position ouverte Aimant inférieur • Principe d’actionnement • Interaction aimant/aimant • Bistable • Commutation: système électro-thermique

  12. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Le nano-résonateur Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Principe d’actionnement • Force de Laplace • Polyvalent

  13. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Démarche scientifique • Idée de base • Designs • Programmes de modélisation Conception /Modélisation Validation Dimensionnement Système Mesures Technologie Contrôle • Nano-indentation • U (i) • Tests électriques paramétriques • Optique • Empilement technologique • Réalisation (dépôt, litho, gravure) Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  14. Contexte de la thèse Nouveau système d’actionnement Nano-commutateur magnétique Nano-résonateur magnétique Conclusion et perspectives Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  15. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Principe d’actionnement Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Preuve de concept • Rfermé ~ quelques ohms • Rouvert ~ infini

  16. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Modélisation mécanique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Γy Fz Fz z y x • Interaction aimant/aimant • Déflexion du cantilever: équation d’Euler + conditions aux limites Problème 1D Problème 3D Simplifications F force magnétique Γ moment mécanique m moment magnétique B champ magnétique 50 nm E module d’Young I moment d’Inertie

  17. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Système électro-thermique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 FeCo FeMn FeMn FeCo FeMn • Contraintes : limiter nombre de niveaux de masque • 1 seul niveau de lignes métalliques • Lecture par la ligne T Aimant inférieur Thermistance Courant de lecture Ligne T Ligne T Courant de chauffe Courant d’aimantation Substrat Ligne H Point de fonctionnement (FeMn/FeCo) {TFeMn = 170°C ; HFeCo = 100 Oe} Ligne T ≡ Chauffage Ligne H ≡ Champ mag. µ0 100 Oe = 10 mT

  18. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Système électro-thermique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Chauffage (ligne T) Champ magnétique (ligne H) Loi de Biot et Savart Champ magnétique dans le FeCo > 100 Oe  Simulation par éléments finis wligne H = 5 µm 910 200°C Écriture TFeMn > 170°C Consommation estimée 230 à 540 mW Hy [Oe] 31,5 °C Lecture TFeMn << 170°C Laimant tligne H =2,2 µm wligne H Largeur ligne H wligne H = Laimant + 2 µm Matériau thermistance TiN (épaisseur 100 nm)

  19. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Empilement technologique : contraintes Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Matériaux • Fe (matériaux magnétiques) • Gravé par le HF (acide Hydro-Fluorhydrique) • procédé de libération XeF2 • Limitation en température: 250°C • Choix des procédés de dépôt, stripping • Couche sacrificielle en titane • Taille • Choix du procédé de lithographie • Largeur latérale < 1 µm  ultra-violet profond • Dimension critique : 250 nm • Désalignement : ± 125 nm Matériaux magnétiques Couche sacrificielle NEMS

  20. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Dimensionnement Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 NiMn FeCo NiMn 6. Aimant supérieur 5. Cantilever 4. Aimant inférieur 3. Thermistance 2. Ouverture contact AlCu/TiN 1. Lignes T et H 7. Ouverture plots Pt Pt Ti Pt FeMn SiO2 FeCo FeMn TiN SiN SiO2 Ligne H Ligne T Ligne T AlCu AlCu AlCu SiN Si

  21. Dimensionnement Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 100 µm

  22. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Réalisation technologique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 TiN SiN AlCu AlCu AlCu Si • Système complexe • 7 niveaux de lithographie • ~ 110 étapes  temps de fabrication > 1 an • Plusieurs briques technologiques à développer • Dispositifs en cours de fabrication • Niveau 1 à 3 (système électro-thermique) : validés par des tests électriques paramétriques

  23. Contexte de la thèse Nouveau système d’actionnement Nano-commutateur magnétique Nano-résonateur magnétique Conclusion et perspectives Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  24. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Principe d’actionnement Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Force de Laplace

  25. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Conception : modélisation statique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 a b x y z aimant poutre • Force distribuée uniformément sur un segment [a,b] • Équation d’Euler + conditions aux limites • Preuve de concept : mesure d’un déplacement a b Résolution de l’équation d’Euler Loi d’Ohm U = RI Γ moment mécanique E module d’Young I moment d’Inertie

  26. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Conception : modélisation dynamique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 B uniforme x y z • Équation d’Euler-Bernouilli (petits déplacements) • Décomposition de Galkerkin : 1er mode propre • Modèle masse-ressort • Fréquence de résonance • Déplacement Z • Inuniformité du champ magnétique  masse efficace • Àω = ω0 a b x y z aimant Poutre Longueur L Section S Densité d F force de Laplace λ1 = 4,73 Γ moment mécanique L longueur de la poutre Q facteur de qualité E module d’Young I moment d’Inertie ω0 = 2πf0

  27. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Conception : modélisation statique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 a b x y z aimant poutre • Force distribuée uniformément sur un segment [a,b] • Équation d’Euler + conditions aux limites • Preuve de concept : mesure d’un déplacement a b Résolution de l’équation d’Euler Loi d’Ohm U = RI Γ moment mécanique E module d’Young I moment d’Inertie ρ Résistivité

  28. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Résistivité en couche mince Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Grain cristallin Joints de grains Surface p R Électron i Substrat Formule de Mayadas-Shatzke • ρ résistivité • λe libre parcours moyen des électrons • t épaisseur de la couche • d diamètre moyen des grains (fonction de t) • p fraction des électrons réfléchis élastiquement par la surface ( p ~ 0) • R coefficient de réflexion des électrons aux joints de grain (0 ≤ R ≤ 1) Pertes aux joints de grains Pertes à la surface

  29. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Résistivité en couche mince Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Motifs de van der Paw

  30. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Dimensionnement Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Plusieurs types de structures

  31. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Empilement technologique Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 100 mm 200 mm • Contraintes dues à la conception • Procédé de libération XeF2 • Couche sacrificielle en titane • Deux filières technologiques • Filière plaques de 100 mm (Plate-forme Technologique Amont) • Lithographie optique • Dimension critique : 1,5 µm • Désalignement : ± 1 µm • Solution de nivellement : lift-off • Filière plaques de 200 mm (Plate-forme du LETI) • Lithographie ultra-violet profond • Dimension critique : 250 nm • Désalignement : ± 125 nm • Solution de nivellement : polissage partiel Ti Aimant SiO2

  32. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Solution 100 mm : lift-off Aimant Aimant Aimant Ti SiO2 SiO2 SiO2 Si Si Si 3. Dépôt Ti + stripping 1. Dépôt des couches magnétiques 2. Gravure par faisceau ionique Pt Pt gap Ti Aimant Ti Aimant Ti Aimant SiO2 SiO2 SiO2 Si Si Si résine résine 5. Photolithographie + dépôt Pt + lift-off 6. Libération XeF2 4. 2ème dépôt Ti 5 6 3 Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  33. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Solution 200 mm : polissage partiel Aimant Aimant Aimant Ti SiO2 SiO2 SiO2 Si Si Si 3. Dépôt Ti 1. Dépôt des couches magnétiques 2. Gravure par faisceau ionique + stripping Pt Pt gap Ti Aimant Ti Aimant Aimant Ti SiO2 SiO2 SiO2 Si Si Si 4. Polissage partiel 5. dépôt Pt + photolithographie + gravure + stripping 6. Libération XeF2 Polissage partiel du titane • Efficace pour gap 200 nm • Délamination autour des aimants si trop de polissage • Dispersion sur la plaque de ± 20 nm (10% sur un gap de 200 nm) 6 5 Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  34. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Comparaison des deux filières Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 5 µm 750 nm 7,5 µm • 100 mm (Plate-force Technologique Amont) • Facile • Permet des essais • Résolution ~ 1,6 µm • Nivellement difficile à réaliser • Impossible VLSI • Qualité des dispositifs moyenne • 200 mm (Plate-forme du LETI) • Bon nivellement (g > 200 nm) • VLSI • Résolution ~ 200 nm • Très bonne qualité des dispositifs • Petits gaps à travailler • Développement coûteux VLSI ≡ Very Large Scale Integration (Intégration à très grande échelle)

  35. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Libération XeF2 Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 Poutre Aimant Encastrement Poutre Titane (partiellement gravé) Aimant • Gravure sèche chimique • Pas de stiction • Bonne sélectivité • Couche sacrificielle usuelle: polySi (~ 2,3 µm/min) • Dans notre cas: Ti (~ 20 nm/min à 45°C) • Adaptée pour les NEMS • Adaptée aux matériaux magnétiques • Vitesse de gravure très inhomogène • Redépôts après un certain temps • Facteurs influençant la gravure • Taux d’ouverture • Taille de l’échantillon • Nombre d’échantillons dans la chambre XeF2 ≡ Difluorure de Xénon

  36. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Libération plaques de 100 mm ~ 150 nm 2 µm 2 µm 2 µm 500 nm • Libération de poutre de Platine • L = 6 µm ; w = 1,6 µm ; t = 50 nm • gap ~ 150 nm Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  37. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Libération plaques de 200 mm • Plus petit NEMS • L = 1 µm, w = 200 nm, t = 50 nm  f0 ~ 135 MHz • Gap ~ 200 nm 55 700 NEMS Encastrement Poutre sans optimisation de l’espace! Aimant Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  38. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Détection 3 µm • Mesure par vibrométrie optique par effet Dopler Faisceau laser de référence Faisceau laser Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  39. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Mesure du mouvement (statique) V • Mesures optiques par vibrométrie optique par effet Dopler Faisceau Laser Preuve de concept Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  40. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Mesure du mouvement (dynamique) Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Pic de résonance • Normalisé au déplacement hors résonance • Correspondance avec une Lorentzienne • f0 ~ 6,9 MHz (calculs : f0 ~ 5,39 MHz) • Q ~ 10 (pression atmosphérique)

  41. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Positionnement / état de l’art Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 détection intégrée f0=1 GHz f0=125 MHz [5] [3] f0=1,5 MHz ? [4] actionnement externe intégré f0=0,485 MHz f0=8 MHz [1] [1] D. W. Carr et al, APL, 77, 2000 [2] Sotiris et al, Science, 317, 2007 [3]Huang et al, New J. Physics, 7, 2005 [4] J. Arcamone et al, IEEE Trans. on circuits and systems, 54, 2007 [5] M. Li et al, Nature Nanotech, 2, 2007 [2] f0=6,9 MHz > 100 MHz externe

  42. Contexte de la thèse Nouveau système d’actionnement Nano-commutateur magnétique Nano-résonateur magnétique Conclusion et perspectives Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009

  43. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Conclusion : nouveau système d’actionnement Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 750 nm 1,5 µm Mémoires magnétiques non volatiles  Empilement AF/FM = nano-aimant Nouveau système d’actionnement Fabrication intégrée Des MEMS aux NEMS  Nano-structure mécanique • Réduction des dimensions agressive • Approche VLSI • Température ambiante • Polyvalence • Bistabilité (commutateur) • Mouvement hors plan et dans le plan (résonateur) Preuve de concept réalisée

  44. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Conclusion : résumé des résultats Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Conception/Modélisation • Champs magnétiques • Mécanique • Interaction aimant/aimant  nano-commutateur (cantilever) • Interaction aimant/courant  nano-résonateur (pont) • Systèmes continus mais variation des paramètres matériaux • Empilement technologique • Contraintes du magnétisme : température < 250°C • Contraintes des NEMS : libération de gaps ~ 50 – 200 nm • Validation libération en XeF2 (couche sacrificielle : Ti) • Mesures • Tests électriques paramétriques • Déplacement par vibrométrie optique Conception Dimensionnement Validation NEMS Technologie Mesures Contrôle

  45. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Perspectives & améliorations : nano-commutateur Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 3 µm • Dispositifs en cours de fabrication • 4 niveaux encore à réaliser • Test du système de commutation (mesure de résistance) • Amélioration de la modélisation mécanique • Forces de proximité, effet du pull-in • Conditions aux limites lors du contact • Dynamique (temps de commutation) • Contact électrique • Approfondissement de la modélisation • Fiabilité du contact • Configurations alternatives

  46. Contexte Nouvel Actionnement Nano-commutateur Nano-résonateur Conclusion & perspectives Perspectives & améliorations : nano-résonateur Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 3 µm 5 µm Nano-aimant Ancrages Structure mobile • Optimisation de la mesure • Poutre en U • Mouvement dans le plan • Sous vide • Détection intégrée • Magnéto-motive • Autre principe • Optimisation du design

  47. Publications Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 • Brevets • Nano résonateur magnétique (L. Bilhaut, L. Duraffourg, P. Andreucci et B. Viala) • Nano-commutateur magnétique bistable (L. Bilhaut, L. Duraffourg, P. Andreucci et B. Viala) • Conférences • Actionnement bistable d’une nanostructure pour des applications mémoires non volatiles(L. Bilhaut et L. Duraffourg), JNRDM Lille 2007  Poster • Assessment of Nanosystems for Space Applications (L. Bilhaut et L. Duraffourg), International Astronautical Congress 2007, Hyderabad, Inde  Présentation orale (Financement par l’Agence Spatiale Européenne)  Articlepublié dans Acta Astronautica, Vo 65, No 9-10, pp 1272-1283, 2009 • Experimental Validation of a 2-D Constriction Resistance Model at the Microscale(L. Bilhaut, C. Poulain et L. Duraffourg)55th IEEE Holm Conference on Electrical Contacts , Vancouver, Canada Présentation orale • Actuation and Detection of a Nanoresonator by an Integrated Antiferro/Ferromagnetic Multilayer Stack (L. Bilhaut, K. Garello, L. Duraffourg, B. Viala et P. Andreucci), Eurosensors 2009, Lausanne, Suisse  Présentation orale

  48. Merci! Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 à Laurent Duraffourg, Bernard Viala, Jean-Philippe Bourgoin, Philippe Andreucci, Philippe Robert et encore à Denis Renaud, Nicole Bouzaida, Chantal Chantre, Gaëlle Chamiot-Maitral, Stéphane Minoret, Alain Persico, Julien Vidal, Aurélien Suhm les CTP, les CTZ, toutes les équipes du 41 et du BHT sans oublier Kevin Garello, Marie-Thérèse Delaye et toute l’équipe de la PTA ni Christophe Poulain, Romain Anciant, Philippe Renaux, Delphine Lory, Miguel Ania Asenjo et last but not least Les courageux qui ont partagé mon bureau émotif L’équipe féminine de soutien psychologique du LCMS Toutes mes collègues du LCMS et du LCRF Mes amis de Grenoble, de Paris, de Dublin et des Royaumes Oubliés Ma famille et mon coloc

  49. Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 MERCI de votre attention

  50. Actionnement magnétique à l’échelle nanométrique L. Bilhaut 26/11/2009 MERCI

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