1 / 61

METODA POMIARU

Z. V. M*. X. N. M. METODA POMIARU. NARZĘDZIE POMIAROWE. ODTWARZANIE MEZURANDU. Procedura pomiarowa. Rozdzielczość. Mezurand M. Selektywność. Zakres pomiarowy M min M max X min X max. Czułość S = N /X. Stała (przyrządu). Powtarzalność.

cassie
Download Presentation

METODA POMIARU

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Z V M* X N M METODA POMIARU NARZĘDZIE POMIAROWE ODTWARZANIE MEZURANDU • Procedura pomiarowa Rozdzielczość Mezurand M Selektywność • Zakres pomiarowy • Mmin Mmax • XminXmax Czułość S = N/X Stała (przyrządu) Powtarzalność

  2. Elementy odkształcalne rurkowe Jednorodna Z wewnętrznym trzpieniem Asymetryczna Bourdona

  3. Elementy odkształcalne mieszkowe

  4. Indukcyjnościoweczujniki ciśnień

  5. p Tensometryczny czujnik ciśnienia - z mechanicznym elementem przeniesienia siły

  6. p Tensometryczny czujnik ciśnieńrurowy

  7. Mikromechanika Krzemowa MEMS Krzem Współczynnik poissona – taki jak dla stali Wytrzymałość – 2,5 raza wieksza Brak histerezy mechanicznej Duża przewodność cieplna

  8. SiO 2 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si

  9. II etap DOMIESZKOWANIE BOREM BOR SiO 2 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

  10. Si SiO 2 Fotoresist Maska WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ III etap FOTOLITOGRAFIA

  11. WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ IV etap TRAWIENIE KRZEMU Si

  12. V etap TRAWIENIE SiO I UTLENIANIE 2 SiO 2 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

  13. FOSFOR warstwa + p SiO 2 WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA Si

  14. SiO warstwa 2 + p WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA PIEZOREZYSTOR Si

  15. Czujniki piezorezystywne ciśnienia oparte są na pomiarze naprężeń proporcjonalnych do różnicy ciśnień występujących po obu stronach membrany. Naprężenia mierzone są przy pomocy piezorezystorów (rezystorów dyfuzyjnych wykonanych w membranie). Efekt piezorezystywny jest silnie anizotropowy i mocno zależy od orientacji krystalograficznej.

  16. z (100) y z z x y y (110) x (111) x <001> <001> <111> <011> <010> <110> <110> <110> <111> Płaszczyzna <100> ANIZOTROPIA CZUŁOŚCI PIEZOREZYSTORÓW c)

  17. STRUKTURA CZUJNIKA UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW PIEZOREZYSTORY 1 mm

  18. R R 1 3 U Z R 4 R 2 UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW

  19. CIŚNIENIE NIŻSZE Si CIŚNIENIE WYŻSZE Si PODŁOŻE SZKLANE

  20. ZINTEGROWANY CZUJNIK CIŚNIENIA STRUKTURA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO STRUKTURA CZUJNIKA E K B Si PODŁOŻE SZKLANE

  21. A A CZUJNIK POJEMNOŚCIOWY MEMBRANA ELEKTRODY Si PODŁOŻE SZKLANE

  22. Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber absolutny względny

  23. Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber Różnicowy, medium doprowadzone dwustronnie Względny, medium doprowadzone jednostronnie

  24. Przyciski do nastawienia zera i zakresu Płytka z elektroniką Ma obudowaną konstrukcję typu plug-in i ulepszone zamocowanie Bardzo prosta obsługa Obudowa elektroniki Kompatybilna ze standardem Fieldbus, pozostawia dużo miejsca na przewody Nowe możliwości softwerowe Listwa zaciskowa Wyświetlacze typu LCD, sygnały ostrzegawecze kompatybilne ze standardem NAMUR i możliwość nastawienia granic przekroczenia zakresu. Zawiera trzy zaciski w zwartej konstrukcji typu plug-in Moduł z czujnikiem Spawana metalowa obudowa Przyłącze procesowe Przetwornik ciśnienia 3051

  25. Półprzewodnikowe czujniki przyśpieszenia

  26. Mechaniczny czujnik przyśpieszenia typu ball in tube

  27. Elektryczny czujnik przyśpieszenia typu ADXL produkcji Analog Devices w technologii MEMS Zawieszenie zginane Zawieszenie rozciągane Miejsca zamocowania

  28. Budowa wewnętrzna sterownika systemu SRS 1 – czujnik przyspieszeń2 – włącznik bezpieczeństwa3 – układ podtrzymania napięcia zasilającego (awaryjnego)4 – układ ASIC5 - mikrokontroler

  29. Koncepcja nowoczesnego systemu poduszek powietrznych firmy Bosch

  30. Detekcja dachowania- Bosch

  31. Charakterystyki napełniania poduszki o ładunku dwustopniowym - a, i o dwóch ładunkach – b

  32. Czujniki temperatury

  33. metalowe półprzewodnikowe termistory monokryst. KTY PTC RTD NTC SPRT Rezystancyjne czujniki temperatury

  34. Np. Dla platyny Europa  =0,385 USA =0,392 Współczynnik temperaturowyrezystancji  Względny przyrost rezystancji przy zmianie temperatury o 1K (lub o 1 C) w zakresie 0 C do 100 C

More Related