1 / 10

Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania

Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania. Wykład 6. Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki dr inż. Ryszard Siurek. Przetwornica jednotaktowa – przeciwsobna (ang. push-pull converter). I p1. I w1. L. T 1. D 1. C we. C. U we.

violet
Download Presentation

Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania Wykład 6 Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki dr inż. Ryszard Siurek

  2. Przetwornica jednotaktowa – przeciwsobna (ang. push-pull converter) Ip1 Iw1 L T1 D1 Cwe C Uwe R0 U0 Zp1 Zw1 t1 T Zp2 Zw2 t1 - czas załączenia T1 Ip2 Iw2 T2 D2 t2 - czas załączenia T2 Dt- czas przerwy pomiędzy impulsami sterującymi T t2 Dt przekładnia transformatora

  3. Analiza pracy przetwornicy jednotaktowej – przeciwsobnej FM Takt I T1 – włączony, D1-przewodzi, D2 -wyłączona L ID1 IT1 T1 D1 UT1 Zp1 Zw1 Uwe U1 C R0 U0 IT1 Uwe Zp2 Zw2 UT2 t1 T Dt T1,T2 – wyłączony, D1-przewodzi, D2 -przewodzi IT2 T1 L ID1 IT1 D1 IL UT1 Zp1 Zw1 0 Uwe C R0 U0 0 IM UT1 2Uwe 0 Zp2 Zw2 D2 Uwe ID2 UT2 UT2 Takt II T2 – włączony, D1-wyłączona, D2 -przewodzi T1 IT1 ID1 D1 L U0 UT1 Zp1 Zw1 Uwe U1 C R0 U1 U0 Uwe Zp2 IL Zw2 T2 D2 UT2 Takt I Dt Takt II

  4. Przedstawienie zjawisk w rdzeniu magnetycznym na krzywej magnesowania – zjawisko nasycenia Przetwornica jednotaktowa jednotranzystorowa B B Bs Bs H H Nasycanie rdzenia dla nie-prawidłowo zaprojekto-wanego transformatora -Bs -Bs iM(t) Ip FM IM prąd rozmagnesowania FM prąd magnesowania FMmax * iw(t) IM IMmax t t t t1

  5. Przetwornica jednotaktowa przeciwsobna B B Bs Bs H H Nasycanie rdzenia przy niesymetrycznym stero-waniu tranzystorów -Bs -Bs FM IMmax prąd przemagnesowania prąd magnesowania FM IM Fs FMmax Dt -FMmax t1 t2 t1 > t2

  6. Nasycenie rdzenia jako wynik niewłaściwego rozmagnesowania (przemagnesowania) transformatora FM Nasycenie w wyniku niesymetrii w układzie przeciwsobnym B Bs t Ip H t Przetwornica jednotaktowa jednotranzystorowa IT1 t -Bs IT2 t Przetwornica przeciwsobna

  7. Nasycenie rdzenia dławika wyjściowego B IL Bs I1 DB B0 I0 t DH H H0(I0) H1(I1) Ip -Bs t S

  8. Popularne odmiany przetwornicy przeciwsobnej Przetwornica mostkowa Przetwornica półmostkowa Uwe T1 C1 T1 T2 Uwe D1 D2 D1 D2 U0 U0 C2 T2 T3 T4 Takt I - włączony T1 i T4, dioda D2 przewodzi Dt - tranzystory wyłączone, obie diody przewodzą Takt II - włączony T2 i T3, dioda D1 przewodzi Takt I - włączony T1, dioda D2 przewodzi Dt - tranzystory wyłączone, obie diody przewodzą Takt II- włączony T2, dioda D1 przewodzi • Cechy charakterystyczne: • Tylko jedno uzwojenie pierwotne • UTmax = Uwe • Średnio skomplikowane sterowanie • tranzystorów • Dwukrotnie większy prąd tranzystorów • Autokorekcja niesymetrii (C1, C2) • Struktura stosowana przy średnich mocach • (200W – 1000W) • Cechy charakterystyczne: • 1.Tylko jedno uzwojenie pierwotne • 2.UTmax = Uwe • 3.Skomplikowane sterowanie tranzystorów • Struktura stosowana przy dużych mocach • (powyżej 1 kW)

  9. Porównanie podstawowych przebiegów po stronie wtórnej przetwornicy jednotranzystorowej i przeciwsobnej jednotranzystorowa (forward) U1 gdy g = 0,5 IL(IC) U0 t T przeciwsobna (push-pull) U1 U0 Dla takiego samego napięcia wyjściowego konieczna jest większa przekładnia „n”, a więc mniej zwojów po stronie wtórnej. IL(IC) Mniejsza składowa zmienna prądu w dławiku wyjściowym i w kondensatorze. t1 T

  10. Porównanie przetwornicy jednotranzystorowej i przeciwsobnej jednotranzystorowa (forward) przeciwsobna (push-pull) • transformator magnesowany tylko w obie strony (I-sza i IV ćwiartka ) • mniejszy rdzeń transformatora • maksymalne napięcie na tranzystorze UT = 2 Uwe • podwójne uzwojenie wtórne • mniejsza liczba zwojów uzwojenia wtórnego (mniejsza szczytowa wartość napięcia wtórnego) • współczynnik wypełnienia teoretycznie może osiągnąć wartość 1 • mniejsze wartości indukcyjności dławika i kondensatora wyjściowego • dwa lub więcej tranzystorów przełą- czających • skomplikowany układ sterowania tran- zystorów • mniejsze wartości prądu skutecznego w kondensatorze wyjściowym • transformator magnesowany tylko w jedna stronę (I-sza ćwiartka) • większy rdzeń transformatora • maksymalne napięcie na tranzystorze UT > 2 Uwe • pojedyncze uzwojenie wtórne • większa liczba zwojów uzwojenia wtórnego (większa szczytowa wartość napięcia wtórnego) • współczynnik wypełnienia ograniczony do 0,5 • konieczny układ rozmagnesowania • większe wartości indukcyjności dławika i kondensatora wyjściowego • pojedynczy tranzystor przełączający • prosty układ sterowania tranzystora • większe wartości prądu skutecznego w kondensatorze wyjściowym

More Related