Modelos equivalentes de peque a se al de los transistores

1. Modelos equivalentes de peque�a se�al de los transistores Ing. Hugo Fdo. Velasco Pe�a

2. Introducci�n El circuito equivalente de peque�a se�al de un transistor FET se puede obtener por m�todos an�logos a los utilizados en transistores bipolares. Sin embargo, al ser dispositivos controlados por tensi�n, el modelo bipuerta m�s adecuado es el de par�metros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada.

3. Introducci�n La figura 2.17 representa el modelo de peque�a se�al de un FET constituido por dos par�metros: gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia de salida o resistencia de drenador. Esta notaci�n es la m�s extendida para describir estos par�metros, aunque algunos fabricantes utilizan la notaci�n en par�metros {Y} o {G}, denominando yfs o gfs a gm, e yos-1 o gos-1 o ross a rd.

4. Introducci�n Estos par�metros dependen de la corriente de polarizaci�n del transistor (ID), y el fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarizaci�n. A continuaci�n se describe con m�s detalle los par�etros gm y rd.

6. FACTOR DE ADMITANCIA gm Se define este par�metro como

7. gm en JFET En un JFET, gm se puede extraer a partir de la ecuaci�n anal�tica del transistor en la regi�n de saturaci�n que relaciona la ID con la VGS, definida por

8. gm en JFET gm es un par�metro definido por cociente de incrementos que se pueden aproximar por derivadas, de forma que aplicando esta definici�n a la ecuaci�n de ID y resolviendo se obtiene que

9. gm en MOSFET En un transistor MOS, cuya ecuaci�n anal�tica en la regi�n de saturaci�n es gm se puede expresar mediante la siguiente ecuaci�n

10. RESISTENCIA DE SALIDA O DE DRENADOR rd.

11. FACTOR DE AMPLIFICACI�N � Relaciona los par�metros gm y rd de la siguiente manera

14. AMPLIFICADORES MULTIETAPA