440 likes | 1.34k Views
Tranzistor jako spínač. Střední odborná škola Otrokovice. Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je ing. Miroslav Hubáček.
E N D
Tranzistor jako spínač Střední odborná škola Otrokovice Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je ing. Miroslav Hubáček. Dostupné z Metodického portálu www.rvp.cz, ISSN: 1802-4785, financovaného z ESF a státního rozpočtu ČR. Provozováno Výzkumným ústavem pedagogickým v Praze. www.zlinskedumy.cz
Náplň výuky Tranzistor jako spínač Rozdělení tranzistorů Tranzistorový jev Základní zapojení tranzistoru jako spínače Spínací vlastnosti Praktické využití
tranzistorový jev byl objeven v prosinci 1947 skupinou vědců v Bellových laboratořích v USA • tým pracoval ve složení Wiliam Shockley, John Bardeen a Walter Brattain • za tento objev byla roku 1956 udělena Nobelova cena za fyziku • jednalo se o velmi významný objev, který se stal mezníkem ve vývoji v oblasti elektrotechniky • tím byl podpořen dosavadní trend miniaturizace jednotlivých součástek, který vedl až k integrovaným obvodům Historie tranzistorů
tranzistor je polovodičová součástka, kterou tvoří dvě dvojice přechodů PN • základní vlastností tranzistoru je schopnost zesilovat • přechody tranzistoru vytvářejí strukturu odpovídající spojení dvou diod • tranzistor má tři elektrody – emitor, bázi a kolektor • podle principu činnosti se tranzistory dělí na • bipolární • unipolární • rozlišují se dva typy bipolárních tranzistorů • NPN • PNP Rozdělení tranzistorů
běžné tranzistory zpracovávají signál v řádu jednotek voltů, hodnota proudu bývá řádově miliampéry • středně výkonné tranzistory s parametry mezi běžnými a výkonovými tranzistory • výkonové tranzistory pracující ve spínacím režimu s napětím v řádu kilovoltů a s proudy v řádu stovek až tisíců ampérů Rozdělení tranzistorů podle výkonu Obr. 1: Provedení tranzistorů
vstupní obvod tvořený přechodem báze – emitor je zapojen v propustném směru • výstupní obvod je tvořen oběma přechody a je zapojen v závěrném směru. • jestliže k bázi připojíme zdroj malého napětí přecházejí elektrony z oblasti emitoru do oblasti báze, kde část rekombinuje • většina elektronů však pokračuje přes přechod báze – kolektor do oblasti kolektoru, kde jsou přitahovány velkým kladným napětím kolektoru • malá změna proudu v obvodu báze tedy vyvolá velkou změnu proudu v obvodu kolektoru. Princip tranzistoru
struktura tranzistoru NPN je tvořena oblastí • emitoru – oblast N • báze – oblast P • kolektoru – oblast N • tranzistor typu PNP má opačnou strukturu Struktura tranzistoru Obr. 2: Struktura tranzistoru
koncentrace majoritních nosičů v oblasti emitoru je větší než jejich koncentrace v oblasti kolektoru • oblast báze je velmi tenká, koncentrace nosičů je zde malá • vstupní elektrodou je báze a výstupní elektrodou je kolektor • tranzistor se chová jako odpor, který je řízen proudem báze • malá změna proudu IB v obvodu báze vyvolá velkou změnu proudu Icv obvodu kolektoru • tranzistor tedy proudově zesiluje • důležitým parametrem tranzistoru je jeho proudový zesilovací činitelβ (bezrozměrné číslo) Tranzistorový jev
hodnota proudového zesilovacího činitele βudávázesílení tranzistoru • podle způsobu zapojení bývá řádově několik desítek až stovek Tranzistorový jev Obr. 3: Tranzistorový jev
pro zapojení se společnou bází je definován jako poměr časové změny proudu kolektoru a emitoru • podle 1. Kirchhoffova zákona platí pro proudy jednotlivých elektrod • IE = IB + IC • kde IE jeproud emitoru, IB proud báze a IC proud kolektoru • charakteristické údaje tranzistorů jsou uvedeny v katalogu elektronických součástek Proudový zesilovací činitel
nejčastěji se používá zapojení se společným emitorem (SE) z důvodu menší energetické náročnosti než u zapojení SB • základní stavy tranzistoru jako spínače • otevřený stav odpovídající sepnutému spínači • uzavřený stav odpovídající rozepnutému spínači Spínací režim tranzistoru Obr. 4: Spínací režim tranzistoru
uzavřený tranzistor nesmí být namáhán napětím UEC • přechod kolektor – emitor proto musí být chráněn rychlými diodami • na výstupní charakteristice tranzistoru v zapojení SE určíme polohu pracovního bodu • IC = f(UCE) při IB = konst. Určení pracovního bodu tranzistoru Obr. 5: Výstupní charakteristika tranzistoru
mez nasycení tranzistoru nastane při UBEsat= UCEsat • uzavřený stav (malé UCEsat, malý ztrátový výkon) – vhodné pro spínání • aktivní stav (velké UCEsat, velký ztrátový výkon) – nevhodnépro spínání, tranzistor pracuje jako zesilovač Pracovního stavy tranzistoru UCE t a) pracovní stavy tranzistoru b) spínací charakteristika Obr. 6: Tranzistor ve spínacím režimu
v elektronice • analogové spínače • spínané zdroje • převodníky napěťových úrovní • v automatizaci • řízení elektrických pohonů akčních členů regulátorů • frekvenční měniče • v energetice • ovládání elektrických pohonů • příklady spínacích tranzistorů • KUV41, KUV41N, KUV60, KUV61, KD15003, KD15004 Využití spínacích tranzistorů
Kontrolní otázky: Proveďte rozdělení tranzistorů podle různých kritérií. Vysvětlete podstatu tranzistorového jevu. Vysvětlete činnost tranzistoru ve spínacím režimu. Kde se využívají spínací tranzistory ?
Seznam obrázků: Obr. 1: Bipolární tranzistory: In: Základy elektroniky [online]. 2011[vid. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://www.spsemoh.cz/vyuka/zel/tranzistory-bip.htm Obr. 2: Tranzistor NPN: Základy elektroniky [online]. 2011[vid. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://www.spsemoh.cz/vyuka/zel/tranzistory-bip.htm Obr. 3: Tranzistorový jev: In: FTUTB: Tranzistory [online]. 2012 [vid. 2.4. 2013]. Dostupné z:http://www.mikroelektro.utb.cz/e107_files/downloads/pr4.pdf Obr. 4: Tranzistor jako spínač: In: BAUER, J. : Tranzistor ve spínacím režimu[online]. 2011 [vid. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://motor.feld.cvut.cz/www/materialy/AD1M14VE2/AD1M14VE2_pr6.pdf Obr. 5: Výstupní charakteristika tranzistoru: In: BAUER, J. : Tranzistor ve spínacím režimu [online]. 2011 [vid. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://motor.feld.cvut.cz/www/materialy/AD1M14VE2/AD1M14VE2_pr6.pdf
Obr. 6a): Pracovní stavy tranzistoru : In: BAUER, J. : Tranzistor ve spínacím režimu [online]. 2011 [vid. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://motor.feld.cvut.cz/www/materialy/AD1M14VE2/AD1M14VE2_pr6.pdf Obr. 6b): Spínací charakteristika: In: BAUER, J. : Tranzistor ve spínacím režimu [online]. 2011 [vid. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://motor.feld.cvut.cz/www/materialy/AD1M14VE2/AD1M14VE2_pr7.pdf
Seznam použité literatury: [1] ANTOŠOVÁ, M., DAVÍDEK, V. Číslicová technika. Praha:KOPP,2009. ISBN 978-80-7232-394-4 [2] HÄBERLE,H. a kol.Průmyslová elektrotechnika a informační technologie. Praha:Europa – Sobotáles, 2003. ISBN80-86706-04-4 [3 ] Tranzistory. In: Wikipedia: the free encyclopedia [online]. 2012 [cit. 2. 4. 2013]. Dostupné z: http://cs.wikipedia.org/wiki/Deriva%C4%8Dn%C3%AD_%C4%8Dl%C3%A1nek [4] ADÁMEK, M. Bipolární tranzistory In: Tranzistory. [online]. 2012 [cit. 2.4.2013]. Dostupné z: http://www.mikroelektro.utb.cz/e107_files/downloads/pr4.pdf