Structura , încapsularea şi identificarea terminalelor Tranzistorului Bipolar(TB)

1. Structura, încapsulareaşiidentificareaterminalelorTranzistorului Bipolar(TB)

2. 1. STRUCTURA SI SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ~TRANZISTORUL BIPOLAR – dispozitiv electronic realizat din material semiconductor, format din treiregiuniseparateprindouajonctiunipn.

3. TRANZISTORUL NPN ~Este format din 2 regiuni N separate de o regiune P. TRANZISTORUL NPN ~Este format sin 2 regiuni P separate de o regiune N .

4. 2.Incapsularea TranzistoarelorBipolare Tranzistoarele, în funcţie de destinaţia lor se realizează într-o gamă largă de capsule.

5. Tranzistoarele pot avea capsule din metal sau material plastic, care au dimensiuni mai mici sau mai mari în funcţie de destinaţia care o au. • În funcţie de destinaţia lor tranzistoarele se împart în 3 mari categorii:tranzistoare de semnal mic , tranzistoare de putere si tranzistoare de radio-frecventa .

6. Tranzistoare de semnal mic – se utilizează la frecvenţe joase (sub 100 kHz) şi curenţi mici (sub 1 A)

7. Tranzistoare de putere – se utilizează la curenţi mari de peste 1 A.

8. Tranzistoare de radio-frecventa (RF) – se utilizeaza la frecvente foarte inalte

9. Tranzistoare de uz general în capsulă metalică- la majoritatea tranzistoarelor din această categorie Emitorul este terminalul de lângă cheiţă, Colectorul este în partea opusăiarBaza este la mijloc. Terminalelesunt dispuse sub forma unuitriunghiechilateral. 3.Identificarea terminalelor TB in functie de tipulcapsulei

11. Tranzistoare de uz general în capsulă din plastic – • latranzistoarele din această categorie terminalele sunt dispuse • liniar cu bazaînmijloc. La majoritatea, terminalelesunt • dispuse ca înfigura de maijos, darsuntsifamilii de • tranzistoare din această categorie la care Emitorul şi • Colectorul sunt dispuse invers faţă de cum sunt prezentate în • figura de maijos

13. Tranzistoare de putere – la tranzistoarele din această categorie • Colectoruleste conectat la partea metalică a tranzistorului. La majoritatea tranzistoarelor din această categorie terminalele sunt • dispuseliniariarColectoruleste la mijloc. La tranzistoarele care au numai2 terminaleColectorulestecorpulmetalical tranzistorului.

15. IdentificareaterminalelorprinmăsurarearezistenţeielectricedintreeleIdentificareaterminalelorprinmăsurarearezistenţeielectricedintreele Pentruidentificareaterminalelortranzistoruluiprinaceastămetodă se parcurg 3 etape: Inprima etapă se identificăbazatranzistorului Identificarea BAZEI tranzistorului bipolar • Se fixeazăcomutatorulunuimultitester digital pepoziţiaΩ (pentrumăsurarearezistenţeielectrice) • -Se plasează o tastă a multitesteruluipeunul din terminaleletranzistoruluiiar cu cealaltătastă se măsoarărezistenţeleelectricefaţă de celelaltedouăterminale. Dacărezistenţeleelectricesuntaproximativegale (într-un sensrezistenţemiciiarîncelălaltsensrezistenţefoartemari) tastamultitesteruluiesteplasatăpebazatranzistorului

16. In a douaetapă se identificătipultranzistorului • Se plasează o tastă a multitesteruluipebazăşicealaltătastăpeunul din celelaltedouăterminale ale tranzistoruluiînsensulîn care multitesterulindicărezistenţămică. • DacăpeBAZĂ estetastaCOM(MINUS) tranzistoruleste de tip PNP • DacăpeBAZĂ estetastaPLUS tranzistoruleste de tip NPN • DeoareceBAZA esteînmijloc, se puneînmijlocliteracorespunzătoarepolarităţii care estepebază (N pentruMINUS şiP pentruPLUS) iarpemarginiliterelecorespunzătoareceleilaltepolarităţi (doi de P saudoi de N) şiastfel se obţinePNP sauNPN Identificareatipului de tranzistor (PNP sau NPN)

17. în a treiaetapă se identificăEmitorulşiColectorul • RezistenţaelectricădintreBazăşiEmitoresteîntotdeaunamai MARE decâtrezistenţaelectricădintreBazăşiColector. • Se plasează o tastă a multitesteruluipebazăiar cu cealaltătastă se măsoarăşi se noteazăvaloarearezistenţelorfaţă de celelaltedouăterminale. Terminalulfaţă de care rezistenţaestemai mare vafiEmitorultranzistoruluiiarcelălaltColectorultranzistorului

18. Proiectrealizat de: • Coptil David • AbabiRaluca • Albert Vlad • Anton Raul • Banc Corneliu